A physically based compact I-V model for monolayer TMDC channel MOSFET and DMFET biosensor.

本文针对单原子层过渡金属二硫化物（TMDC）沟道 MOSFET 建立了一种物理基础紧凑 I–V 传输模型。模型通过求解泊松方程获得沟道静电势，再结合漂移–扩散方程计算漏极电流，并采用渐近沟道近似简化解析过程；同时引入由第一性原理密度泛函理论（DFT）计算得到的态密度，以保证单原子层 TMDC 沟道器件的物理准确性。该模型与实验数据及...