Improved pH Sensitivity and Reliability for Extended Gate Field-Effect Transistor Sensors Using High-

本研究制备了具有双栅（DG）结构的扩展栅（EG）场效应晶体管（FET）pH 传感器，并采用 SiO2、Si3N4、HfO2 和 Ta2O5 等介电传感膜以调节灵敏度。器件由绝缘体上硅（SOI）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）换能器和 EG 传感器组成，其中 EG 在 ITO 玻璃基底上沉积 50 nm 介电膜，并通过导线...