Enhancement of Structural, Optical and Photoelectrochemical Properties of n-Cu
本文采用低成本电沉积法在导电FTO基底上制备n型Cu2O薄膜，并通过XRD、拉曼、SEM、EDX、UV-vis、PL、光电流、Mott–Schottky和EIS系统鉴定K离子掺杂效果。XRD表明薄膜为立方Cu2O多晶与单斜CuO混合相，晶粒尺寸约55至25.2 nm；拉曼证实Cu2O和CuO特征振动。SEM显示掺杂浓度改变结晶性与形...
本文采用低成本电沉积法在导电FTO基底上制备n型Cu2O薄膜，并通过XRD、拉曼、SEM、EDX、UV-vis、PL、光电流、Mott–Schottky和EIS系统鉴定K离子掺杂效果。XRD表明薄膜为立方Cu2O多晶与单斜CuO混合相，晶粒尺寸约55至25.2 nm；拉曼证实Cu2O和CuO特征振动。SEM显示掺杂浓度改变结晶性与形...