6 条结果 关键词:密度泛函理论 ×

d-Glucose Adsorption on the TiO

Frontiers in chemistry 2021 Butera V, Massaro A, Muñoz-García AB, Pavone M 等 5 人

二氧化钛(TiO2)因催化与传感应用受到广泛关注,其纳米颗粒可用于葡萄糖转化,且生物相容性支持葡萄糖生物传感器件开发。高效选择性传感器和催化剂的关键在于分析物与传感/催化表面的相互作用及结合模式,包括分子识别事件及其对纳米颗粒电子结构的影响。本文结合周期边界条件(PBC)与团簇方法(CA)两种第一性原理方法,直接比较二者在 D-葡萄...

Defective GaAs nanoribbon-based biosensor for lung cancer biomarkers: a DFT study.

Journal of molecular modeling 2021 Tarun T, Singh P, Kaur H, Walia GK 等 6 人

本文采用基于密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)的第一性原理方法,研究本征及单空位缺陷砷化镓(GaAs)纳米带对肺癌呼气生物标志物挥发性有机化合物(VOCs)的传感性能。目标分析物为苯胺(aniline, C6H7N)、异戊二烯(isoprene, C5H8)和邻甲苯胺(o-toluidine, C7H9N)。计算表明...

Epigenetically modified nucleobases (5hmc, 5fc, and 5caC) interaction with boron and nitrogen doped porous graphene (B/N-pGr) as promising materials for biosensing application: A density functional theory calculations.

Environmental research 2021 Saravanan V, Rajamani A, Ramasamy S, Baazeem A 等 5 人

本研究采用密度泛函理论(DFT)探索多孔石墨烯(pGr)、硼掺杂多孔石墨烯(B-pGr)和氮掺杂多孔石墨烯(N-pGr)作为生物传感器器件,用于癌症治疗中表观遗传修饰核苷碱基(MBs)的识别。几何、能量和电子性质计算表明,B-pGr反应性最高,对MBs的吸附能力强于pGr和N-pGr,原因是硼原子具有空p轨道,易与修饰碱基中氮、氧原...

Quantum Simulation of the Silicene and Germanene for Sensing and Sequencing of DNA/RNA Nucleobases.

Biosensors 2021 Gürel HH, Salmankurt B

过去十年,二维材料因高比表面积等优异性质成为生物分子传感候选材料。硅烯和锗烯分别是硅和锗的单层蜂窝结构。本文利用含范德华修正的密度泛函理论(DFT)和非平衡格林函数(NEGF)方法,研究 DNA/RNA 碱基与硅烯、锗烯单层的相互作用,并评估其作为 DNA/RNA 碱基测序生物传感器的可行性。研究考察鸟嘌呤(G)、胞嘧啶(C)、腺嘌...

场效应晶体管(FET)生物传感器 硅烯锗烯DNA/RNA碱基密度泛函理论

The redox potential of flavin derivatives as a mediator in biosensors.

Journal of molecular modeling 2021 Pakiari AH, Salarhaji M, Abdollahi T, Safapour M

本文报道了393个黄素衍生物的两电子还原电位。这些衍生物在黄素C6、C7、C8和C9位被铜族过渡金属(Cu、Ag、Au)和共轭双键烃取代,并分别考察有无OH、Cl、CH3、COOH和NO2等官能团。为验证结果可靠性,计算了具有实验值的人体生命分子黄素腺嘌呤二核苷酸(FAD)和核黄素(维生素B2)的还原电位。FAD实验值为-0.22 ...

Finite Element Modelling of Bandgap Engineered Graphene FET with the Application in Sensing Methanethiol Biomarker.

Sensors (Basel, Switzerland) 2021 Singh P, Abedini Sohi P, Kahrizi M

本文设计并模拟了一种石墨烯场效应晶体管(GFET)生物传感器,用于检测细菌感染生物标志物甲硫醇(methanethiol, CH3SH)。由于石墨烯是零带隙半金属,作者采用两种带隙工程方法将其转变为半导体沟道材料:一是在石墨烯晶格中共掺杂受主与施主杂质(如 B-N、Al-P、Ga-As),二是在石墨烯表面吸附过渡金属(TM,如 Pd...