Microwave annealing effect for highly reliable biosensor: dual-gate ion-sensitive field-effect transistor using amorphous InGaZnO thin-film transistor.

本研究采用微波退火工艺制备基于非晶InGaZnO（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）的高可靠性生物传感器，以解决a-IGZO TFT常见的阈值电压不稳定问题。与炉退火a-IGZO TFT相比，微波退火器件表现出更优的阈值电压稳定性和电学性能，包括9.51 cm2/V·s的场效应迁移率、0.99 V的阈值电压、135 mV/dec的亚...