Improved Dielectrically Modulated Quad Gate Schottky Barrier MOSFET Biosensor.
本文提出一种具有四栅结构和源端工程的新型肖特基势垒MOSFET（SB-MOSFET）。器件在沟道源侧采用高k介质HfO2，漏侧采用SiO2，并在源侧引入SiGe口袋区域以提高载流子迁移率。与常规双栅SB-MOSFET相比，该器件具有更高的开/关电流比和更低的亚阈值摆幅。源侧HfO2与SiGe区域增强隧穿概率，而漏侧Al/SiO2结构...
本文提出一种具有四栅结构和源端工程的新型肖特基势垒MOSFET（SB-MOSFET）。器件在沟道源侧采用高k介质HfO2，漏侧采用SiO2，并在源侧引入SiGe口袋区域以提高载流子迁移率。与常规双栅SB-MOSFET相比，该器件具有更高的开/关电流比和更低的亚阈值摆幅。源侧HfO2与SiGe区域增强隧穿概率，而漏侧Al/SiO2结构...