IGZO-Based Electronic Device Application: Advancements in Gas Sensor, Logic Circuit, Biosensor, Neuromorphic Device, and Photodetector Technologies.

Micromachines 2025 Han Y, Seo J, Lee DH, Yoo H

氧化铟镓锌（IGZO）等金属氧化物半导体因电子迁移率高于约10 cm2/V·s、透光率高于约80%，长期受到液晶显示和有机发光二极管领域关注。非晶IGZO还具备工艺兼容性好、可柔性化等优势，适用于柔性及可穿戴器件。基于IGZO的薄膜晶体管具有均匀性高、开关速度快、漏电流低等特点，可实现低功耗运行。这些优势使IGZO不仅是显示技术的关...

综述或非传感器论文 IGZO氧化物半导体生物传感器气体传感器

Quasi-Two-Dimensional Metal Oxide Semiconductors Based Ultrasensitive Potentiometric Biosensors.

ACS nano 2017 Chen H, Rim YS, Wang IC, Li C 等 9 人

本文报道了基于准二维金属氧化物半导体的超灵敏场效应晶体管（FET）生物传感器。准二维低维金属氧化物半导体对半导体-生物界面处的电扰动高度敏感，其灵敏度可与其他纳米材料生物传感器相媲美。溶液加工路线使该平台结构简单、重现性高，相较于其他纳米生物电子器件更具优势。基于准二维 In2O3 的 pH 传感器具有 0.0005 pH 的极低检...

场效应晶体管(FET)生物传感器 场效应晶体管生物传感器准二维In2O3pH传感器葡萄糖传感器