Process Variability in Top-Down Fabrication of Silicon Nanowire-Based Biosensor Arrays.

Sensors (Basel, Switzerland) 2021 Tintelott M, Pachauri V, Ingebrandt S, Vu XT

硅纳米线场效应晶体管（SiNW-FET）因优异电子特性，被研究为检测生物分子、金属离子、气体分子及作为生物系统界面的超高灵敏传感器。自下而上方法可合成数纳米至数百纳米直径的硅纳米线（SiNW），但大规模可重复制造临床生物传感器件仍具技术挑战。自上而下方法利用先进光刻与纳米制造，从绝缘体上硅（SOI）晶圆受控刻蚀出数十纳米直径 SiN...

综述或非传感器论文 硅纳米线场效应晶体管生物传感器自上而下制造器件间变异

Combination of Aptamer Amplifier and Antigen-Binding Fragment Probe as a Novel Strategy to Improve Detection Limit of Silicon Nanowire Field-Effect Transistor Immunosensors.

Sensors (Basel, Switzerland) 2021 Vu CA, Pan PH, Yang YS, Chan HW 等 6 人

硅纳米线场效应晶体管（SiNWFET）在高离子强度条件下检测低浓度蛋白质时，常因德拜屏蔽效应导致信号减弱，限制其诊断应用。本研究首次将适配体信号放大器整合到以抗原结合片段（Fab）为识别受体的 SiNWFET 免疫传感器中，以提高检测限。作者分别在经 3-氨基丙基三乙氧基硅烷（APTES）/戊二醛（GA）或聚乙二醇（PEG）混合自组...

场效应晶体管(FET)生物传感器 硅纳米线场效应晶体管免疫传感器适配体抗原结合片段