Performance enhancement of capacitive-coupling dual-gate ion-sensitive field-effect transistor in ultra-thin-body.

近年来，基于薄膜晶体管的双栅离子敏感场效应晶体管（ISFET）被提出，旨在利用多种有机或无机材料突破标准 ISFET 固有的能斯特响应限制。双栅结构引入的电容耦合效应，可将原本固定的能斯特响应显著扩展为超灵敏传感区间，从而提升器件对界面电位微小变化的响应能力。为进一步推进该平台，本文将超薄体（UTB）结构嵌入双栅 ISFET 中。厚...