Solution-Gated Ultrathin Channel Indium Tin Oxide-Based Field-Effect Transistor Fabricated by a One-Step Procedure that Enables High-Performance Ion Sensing and Biosensing.

本文提出一种一步法制备溶液门控超薄沟道氧化铟锡（ITO）基场效应晶体管（FET）生物传感器的工艺，实现全ITO器件。将薄膜置于金属掩模两端并接触玻璃基底，使掩模沟道底部略高于基底，溅射时颗粒渗入间隙，从而在一次溅射中同时形成约20 nm超薄ITO沟道和约100 nm厚ITO源/漏电极。ITO沟道厚度低于最大耗尽宽度（约30–40 n...