Sensitivity analysis of bi-metal stacked-gate-oxide hetero-juncture tunnel fet with Si0.6Ge0.4 source biosensor considering non-ideal factors.

PloS one 2024 Ghosh R, Nelapati RP, Saha P, Chinthaginjala R 等 6 人

本文提出并模拟了一种采用高-k叠层栅氧的双金属异质结隧穿场效应晶体管（BM-SO-HTFET）生物传感器，其源区采用Si0.6Ge0.4材料。异质结与叠层栅氧的协同作用提高了载流子迁移率并抑制漏电流。双金属栅结构下方的纳米腔作为待测生物分子的结合位点，使生物分子对源-沟道隧穿速率产生更强调控，从而提升器件的ON电流灵敏度。该传感器基...

场效应晶体管(FET)生物传感器 场效应晶体管生物传感器隧穿场效应晶体管双金属叠层栅氧SiGe源

Fringe-fields-modulated double-gate tunnel-FET biosensor.

Scientific reports 2024 Chahardah Cherik I, Mohammadi S

本文提出一种基于边缘场电容概念的双栅隧穿场效应晶体管生物传感器（FFC-bioTFET），用于无标记检测中性与带电生物分子。与传统在栅氧化层刻腔的 bio-TFET 相比，该器件在源区上方及栅金属附近的间隔层中形成空腔，简化工艺并提高可扩展性。当生物分子进入空腔时，其介电常数或电荷改变栅金属边缘场，进而调制源-沟道隧穿结的隧穿势垒宽...

场效应晶体管(FET)生物传感器 场效应晶体管生物传感器隧穿场效应晶体管介电调制边缘场