Fluidic-Based Ion Memristors and Ionic Latches.
本文报道了一种适用于高离子强度生理环境的流体基离子忆阻器及其离子锁存器。器件由 n 型硅微电极与 PDMS 微流控通道中的水溶液电解质构成，通过硅-电解质界面氧化层在阳极偏压下的可逆生长和阴极偏压下的还原，实现界面电阻的双稳态切换。XPS 深度剖析证实阳极氧化后氧化层厚度由约 1.2 nm 增至约 6–8 nm，阴极还原后恢复至约 ...
A CMOS-compatible poly-Si nanowire device with hybrid sensor/memory characteristics for System-on-Chip applications.
本文报道了一种基于“自上而下”多晶硅纳米线场效应晶体管（FET）的通用纳米传感技术，采用传统互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容半导体工艺制备。该纳米线制造技术无需额外光刻设备即可将纳米线宽度缩小至50 nm，并表现出优异的器件均匀性。所制备的n型多晶硅纳米线FET在常规系统工作电压下具有正pH灵敏度（100 mV/pH）和灵敏的脱...