2 条结果 关键词:1T相 ×

Phase-Dependent Fluorescence Quenching Efficiency of MoS

ACS applied materials & interfaces 2018 Lan L, Chen D, Yao Y, Peng X 等 8 人

本文采用化学剥离法制备超薄金属性和半导体 MoS2 纳米片,并比较二者对荧光标记单链 DNA 的猝灭效率。结果表明,MoS2 纳米片的荧光猝灭效率具有相依赖性:含较高 1T 相结构的金属性 MoS2 纳米片因导电性更高,对 FAM 标记 ssDNA 的猝灭效率显著高于以 2H 相为主的半导体 MoS2 纳米片。基于金属性 MoS2 ...

1T-Phase Transition Metal Dichalcogenides (MoS

ACS applied materials & interfaces 2017 Rohaizad N, Mayorga-Martinez CC, Sofer Z, Pumera M

二维过渡金属二硫化物/二硒化物(TMDs)因可调带隙和快速异相电子转移(HET)而受关注,尤其适合电化学生物传感器。本文研究通过叔丁基锂(t-BuLi)插层化学剥离制备的 MoS2、MoSe2、WS2 和 WSe2 的 HET 能力,并将其用于第二代酶基葡萄糖生物传感器。结果表明,WS2 和 WSe2 的 HET 性能优于 MoS2...