Design and Optimization of AlGaN/GaN Graded Barrier MOS-HEMT Biosensor for Breast Cancer Biomolecule detection.

Scientific reports 2026 Karumuri SR, Prasanna RL, Sreenivasulu VB, Kondavitee GS

本文设计并模拟了一种用于乳腺癌生物分子检测的AlGaN/GaN渐变势垒金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）异质结生物传感器。渐变AlGaN势垒层用于增强极化诱导电荷，从而提高二维电子气（2DEG）密度并改善沟道载流子迁移率。器件采用具有不同功函数的三金属栅（M1、M2、M3）以调控沟道电场分布，增强静电控制。作者利...

场效应晶体管(FET)生物传感器 渐变AlGaN势垒MOS-HEMT乳腺癌生物分子2DEG

Review of the AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor-Based Biosensors: Structure, Mechanisms, and Applications.

Micromachines 2024 Li C, Chen X, Wang Z

本文综述了基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的生物传感器的结构、工作机制与应用。AlGaN/GaN异质结界面因压电与自发极化形成高密度、高迁移率二维电子气（2DEG），且2DEG沟道靠近器件表面，可显著提高生物传感器灵敏度；GaN材料优异的热稳定性和化学稳定性使其能在高温及苛刻化学环境中工作。综述总结了肖特基栅、M...

综述或非传感器论文 AlGaN/GaN HEMT生物传感器场效应晶体管2DEG