2 条结果 关键词:AlGaN/GaN HEMT ×

An effective hydroxylation route for a highly sensitive glucose sensor using APTES/GOx functionalized AlGaN/GaN high electron mobility transistor.

RSC advances 2020 Liu J, Zhang H, Xue D, Ahmad AU 等 9 人

本文报道了一种基于 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的高灵敏度葡萄糖生物传感器。作者采用紫外(UV)照射下过氧化氢(H2O2)分解产生羟基自由基的方法,在 GaN 表面实现温和羟基化,使表面形成羟基。随后,3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)在羟基化表面形成末端氨基自组装单分子层(SAMs),作为葡萄糖氧化酶(G...

Enhancement of cortisol measurement sensitivity by laser illumination for AlGaN/GaN transistor biosensor.

Biosensors & bioelectronics 2020 Woo K, Kang W, Lee K, Lee P 等 10 人

本研究采用高电子迁移率晶体管(HEMT)器件作为免疫生物传感器,利用皮质醇单克隆抗体(c-Mab)与皮质醇的特异性结合,检测应激激素皮质醇的浓度。同时,通过光照产生光电流增强 HEMT 传感器灵敏度。光泵浦可帮助传感器分辨更细微的变化,使检出限(LOD)达到 1.0 pM 皮质醇水平,这是基于半导体器件的皮质醇生物传感器中最低检测水...