Biosensors & bioelectronics
2018
Shariati M
本文报道了一种基于氧化铟锡(ITO)纳米线的场效应晶体管(FET)DNA生物传感器,用于无标记检测乙型肝炎病毒(HBV)DNA,并兼容CMOS工艺。作者以p型Si衬底为背栅,在其上依次制备SiO2绝缘层、Au源漏电极和ITO纳米线沟道;通过电子束光刻和800 ℃退火获得直径小于50 nm的结晶ITO纳米线。巯基化单链HBV DNA探...
ACS applied materials & interfaces
2014
Lu N, Dai P, Gao A, Valiaho J 等 7 人
人促甲状腺激素(hTSH)检测是甲状腺疾病筛查的重要工具,但现有院内诊断方法常存在步骤繁琐、仪器昂贵等问题,亟需开发无标记、可一次性使用且低成本量产的 hTSH 检测生物传感器。本文报道了一种基于 CMOS 兼容硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)的新型传感策略,用于 hTSH 的高灵敏、高选择性免疫检测。SiNW 芯片采用自上...
Small (Weinheim an der Bergstrasse, Germany)
2014
Lu N, Gao A, Dai P, Song S 等 7 人
微小RNA(miRNAs)因表达水平与多种人类癌症相关,被视为早期癌症诊断和预后的有前景生物标志物。然而,开发低成本 miRNA 传感器并保持高灵敏度是纳米生物传感器制备及未来生物医学应用中的关键挑战。为此,作者开发了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)生物传感器,采用具有自限制性的各向...
Methods (San Diego, Calif.)
2013
Lu N, Gao A, Dai P, Li T 等 9 人
硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FETs)因具有超灵敏、高选择性、无标记和实时检测能力,已成为一类强效纳米电子生物传感器。本文提出一种基于互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容 SiNW-FET 传感器检测 DNA 的实验方案与技术指南。作者采用各向异性自停止湿法刻蚀技术制备了高表面体积比、尺寸可控的硅纳米线,并将特异性识别目标 DN...
Biosensors & bioelectronics
2013
Wenga G, Jacques E, Salaün AC, Rogel R 等 6 人
目前,基于荧光检测的DNA杂交检测需要昂贵的光学系统和复杂的生物信息学工具,因此开发能够直接、高灵敏检测的新型低成本器件受到广泛关注。硅纳米线器件因其高比表面积,正成为直接检测生物分子的高灵敏电学传感器。本研究提出一种基于台阶栅多晶硅纳米线场效应晶体管(poly-Si NW FET)的创新器件,采用简单、低成本的侧壁间隔形成技术制备...
Sensors (Basel, Switzerland)
2012
Chen MC, Chen HY, Lin CY, Chien CH 等 10 人
本文报道了一种基于“自上而下”多晶硅纳米线场效应晶体管(FET)的通用纳米传感技术,采用传统互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容半导体工艺制备。该纳米线制造技术无需额外光刻设备即可将纳米线宽度缩小至50 nm,并表现出优异的器件均匀性。所制备的n型多晶硅纳米线FET在常规系统工作电压下具有正pH灵敏度(100 mV/pH)和灵敏的脱...