Exploration and Analysis of GaN-Based FETs with Varied Doping Concentration in Nano Regime for Biosensing Application.

本研究系统考察了一种基于氮化镓（GaN）沟道的纳米生物传感器，其采用介电调制三栅鳍式场效应晶体管（TGFinFET）结构，并分别引入均匀掺杂与高斯掺杂沟道。器件在栅极区域下方设置纳米空腔，用于容纳并分析多种生物分子。栅介质采用氧化铪（HfO2），介电常数为25，可增强器件开关比。研究评估了与生物分子识别相关的电学参数，包括开关比、漏...