Fabrication of Hydrogenated Diamond Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistors.

金刚石因宽禁带、高载流子迁移率和高击穿场，被视为高功率、高频电子器件的有前途材料；同时其生物相容性、长期耐久性、化学惰性和宽电化学电位窗口，也使其成为生物传感器候选材料。本文报道了基于氢化金刚石（H-diamond）的金属–绝缘体–半导体场效应晶体管（MISFET）的制备。制备流程结合激光光刻、干法刻蚀、原子层沉积（ALD）、溅射沉...