Evolution Application of Two-Dimensional MoS
高性能、低功耗场效应晶体管(FET)是集成电路发展的基础,因此需要寻找更优的薄膜沟道材料并改进器件结构。二硫化钼(MoS2)具有天然二维原子层结构、大比表面积和优异光电性能,被视为下一代电子器件的候选材料。然而,MoS2 的原子级厚度使其接触界面和介电界面对器件性能影响显著。本文围绕 MoS2 FET 的主要性能提升策略展开综述,包...
高性能、低功耗场效应晶体管(FET)是集成电路发展的基础,因此需要寻找更优的薄膜沟道材料并改进器件结构。二硫化钼(MoS2)具有天然二维原子层结构、大比表面积和优异光电性能,被视为下一代电子器件的候选材料。然而,MoS2 的原子级厚度使其接触界面和介电界面对器件性能影响显著。本文围绕 MoS2 FET 的主要性能提升策略展开综述,包...
本文综述了二硫化钼(MoS2)基修饰电极在电化学传感器与生物传感器中的发展及结构多样性。作者总结了水热法、机械剥离、超声剥离和溶液剥离等制备类石墨烯二维 MoS2 层的方法,并指出 MoS2 及其纳米复合材料具有高机械强度、高载流子传输能力、大比表面积、优异电导率和快速电子传输等特性,可作为高效换能材料。综述系统归纳了二维/三维 M...