MoS

二硫化铼（ReS2）从块体到单层均具有直接带隙，在光电器件构建中具有重要作用，但电子-空穴对快速复合限制了其进一步应用。为提升光电流性能，本文采用双金属共腔进料原子层沉积（ALD）并结合精确剂量调控策略，制备了 Mo/Re 比可控的 MoS2-ReS2 异质结。通过受控引入 Mo 原子，异质结的电子转移能力、载流子迁移率和光电流响应...