Electrically doped SiGe-heterojunction TFET based biosensor considering non-ideal hybridization issues: a simulation study.

本文采用经校准的数值仿真研究一种介电调制、电掺杂、双金属栅、SiGe异质结双栅TFET生物传感器。源端采用较低带隙SiGe材料以提高开启电流；采用电掺杂替代物理掺杂，以规避随机掺杂涨落和高热预算问题。研究重点为腔体部分填充及非均匀填充等非理想杂交情形。部分填充腔体填充因子低于100%，分别考察50%、20%、10%。通过大量仿真分析...