Atomic Layer Deposition-Made MoS
作为二维过渡金属二硫化物家族成员,二硫化铼(ReS2)是光电传感器领域极具竞争力的材料。然而纯 ReS2 中电子-空穴对快速复合及电子传输能力不足限制了其更广泛应用。本文首次采用双金属共腔进料原子层沉积(ALD)并结合精确剂量调控策略,基于阳极氧化铝(AAO)模板牺牲法制备了 ReS2 纳米管(ReS2-NTs)和 MoS2−ReS...
作为二维过渡金属二硫化物家族成员,二硫化铼(ReS2)是光电传感器领域极具竞争力的材料。然而纯 ReS2 中电子-空穴对快速复合及电子传输能力不足限制了其更广泛应用。本文首次采用双金属共腔进料原子层沉积(ALD)并结合精确剂量调控策略,基于阳极氧化铝(AAO)模板牺牲法制备了 ReS2 纳米管(ReS2-NTs)和 MoS2−ReS...