Low-Frequency Noise in Layered ReS

本文在20 nm厚HfO2/Si衬底上制备了厚度从少层到数十层的二硫化铼（ReS2）场效应晶体管（FET）。双层ReS2 FET表现出-0.25 V的阈值电压、约10^7的开/关电流比、116 mV/dec的亚阈值摆幅和6.02 cm2/V·s的电子迁移率。作者首次系统分析了不同厚度ReS2 FET的低频噪声，发现载流子数涨落机制能...