3 条结果 关键词:低频噪声 ×

Quality Assessment of Processed Graphene Chips for Biosensor Application.

Materials (Basel, Switzerland) 2023 Shmidt NM, Shabunina EI, Gushchina EV, Petrov VN 等 12 人

本研究对用于生物传感器的加工石墨烯芯片质量进行了评估,采用原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱和低频噪声测量等方法,对由热分解法在 4H-SiC 衬底上生长并经光刻图形化的石墨烯芯片进行表征。结果表明,光刻过程中光刻胶与石墨烯相互作用会在石墨烯表面形成局部光刻胶残留(LRR),导致同一膜上不同芯片的电阻分散达 1–10 kΩ,AFM 均...

Investigation of the Morphology and Electrical Properties of Graphene Used in the Development of Biosensors for Detection of Influenza Viruses.

Biosensors 2021 Shmidt NM, Usikov AS, Shabunina EI, Nashchekin AV 等 15 人

本研究讨论基于碳化硅(SiC)衬底石墨烯膜的生物传感器芯片在构建流感病毒检测生物传感器主要阶段中电导率、低频噪声和表面形貌变化的机制。石墨烯表面经4-硝基苯重氮四氟硼酸盐(4NDT)共价沉积并循环伏安还原形成苯胺基团,使石墨烯缺陷度与电导增加,并形成尺寸可达500 nm的六角蜂窝状缺陷;缺陷浓度受石墨烯中双层或多层夹杂比例影响。所制...

Low-Frequency Noise in Layered ReS

ACS applied materials & interfaces 2018 Liao W, Wei W, Tong Y, Chim WK 等 5 人

本文在20 nm厚HfO2/Si衬底上制备了厚度从少层到数十层的二硫化铼(ReS2)场效应晶体管(FET)。双层ReS2 FET表现出-0.25 V的阈值电压、约10^7的开/关电流比、116 mV/dec的亚阈值摆幅和6.02 cm2/V·s的电子迁移率。作者首次系统分析了不同厚度ReS2 FET的低频噪声,发现载流子数涨落机制能...

场效应晶体管(FET)生物传感器 二硫化铼低频噪声pH传感HfO2