2 条结果 关键词:光刻胶残留 ×

Quality Assessment of Processed Graphene Chips for Biosensor Application.

Materials (Basel, Switzerland) 2023 Shmidt NM, Shabunina EI, Gushchina EV, Petrov VN 等 12 人

本研究对用于生物传感器的加工石墨烯芯片质量进行了评估,采用原子力显微镜(AFM)、拉曼光谱和低频噪声测量等方法,对由热分解法在 4H-SiC 衬底上生长并经光刻图形化的石墨烯芯片进行表征。结果表明,光刻过程中光刻胶与石墨烯相互作用会在石墨烯表面形成局部光刻胶残留(LRR),导致同一膜上不同芯片的电阻分散达 1–10 kΩ,AFM 均...

Application of Molecular Vapour Deposited Al

Nanomaterials (Basel, Switzerland) 2021 Ali MM, Mitchell JJ, Burwell G, Rejnhard K 等 8 人

石墨烯基即时检测(PoC)和化学传感器可通过光刻工艺在晶圆级制备,但该方法会在石墨烯表面留下难以完全去除的聚合物残留;石墨烯生长与转移过程也会引入缺陷。缺陷和光刻胶污染会降低石墨烯基 PoC 传感器的均一性,导致器件性能不一致和传感结果不可靠。此外,石墨烯 PoC 传感器化学功能化过程中使用的苛刻化学环境可能降解器件中较脆弱的部分,...