本文提出并数值研究一种透明介电调制双沟槽栅工程金属氧化物半导体场效应晶体管（DM DT GE-MOSFET）无标记生物传感器。器件采用上下分裂透明氧化铟锡（ITO）外栅与埋入源区内的内栅结构，在硅膜上下形成纳米沟槽腔体，腔内生长1 nm二氧化硅（SiO2）用于固定生物分子。通过改变腔内生物分子的介电常数或表面电荷密度，调制栅-沟道耦...
本文采用经校准的数值仿真研究一种介电调制、电掺杂、双金属栅、SiGe异质结双栅TFET生物传感器。源端采用较低带隙SiGe材料以提高开启电流；采用电掺杂替代物理掺杂，以规避随机掺杂涨落和高热预算问题。研究重点为腔体部分填充及非均匀填充等非理想杂交情形。部分填充腔体填充因子低于100%，分别考察50%、20%、10%。通过大量仿真分析...
本文研究了考虑双极性输运的纳米线全环绕栅隧穿场效应晶体管（GAA-TFET）生物传感器性能。该传感器采用栅-漏重叠结构，并利用介电调制技术将目标生物分子固定在重叠栅-漏下方弯曲纳米空腔中。纳米线 GAA-TFET 对沟道具有较强控制能力，可显著降低漏电流。作者将 TFET 的双极性特性转化为传感优势，通过双极性漏电流的变化检测生物分...
本文报道了一种垂直扩展漏极双栅Si0.5Ge0.5源隧道场效应晶体管（VD-DG-Si0.5Ge0.5S-TFET）生物传感器，用于通过生物分子存在下电学特性调制实现细胞、DNA、蛋白质等生物分子的无标记检测。该传感器具有Si0.5Ge0.5双源结构，并在每个源-沟道界面之上设置两个纳米腔体用于固定生物分子。生物分子固定后，其介电常...
本文提出一种基于介电调制双源沟槽栅隧穿场效应晶体管（DM-DSTGTFET）的生物传感器，用于无标记检测生物分子。该器件采用双源结构和沟槽栅以增强开态电流并产生双向电流；在 1 nm HfO2 栅氧化层上方刻蚀两个纳米空腔，供生物分子填充。利用 TCAD 二维仿真研究其灵敏度，分析不同介电常数、空腔厚度及带电生物分子对转移特性、Io...