IGZO-Based Electronic Device Application: Advancements in Gas Sensor, Logic Circuit, Biosensor, Neuromorphic Device, and Photodetector Technologies.

氧化铟镓锌（IGZO）等金属氧化物半导体因电子迁移率高于约10 cm2/V·s、透光率高于约80%，长期受到液晶显示和有机发光二极管领域关注。非晶IGZO还具备工艺兼容性好、可柔性化等优势，适用于柔性及可穿戴器件。基于IGZO的薄膜晶体管具有均匀性高、开关速度快、漏电流低等特点，可实现低功耗运行。这些优势使IGZO不仅是显示技术的关...