Vertically aligned nanowires from boron-doped diamond.

本文报道了利用纳米金刚石颗粒作为硬掩模，通过反应离子刻蚀在金属型硼掺杂单晶化学气相沉积金刚石表面制备垂直排列金刚石纳米线的方法。作者采用原子力显微镜、扫描隧道显微镜和电化学技术表征纳米线的表面形貌、界面电子性质及电化学功能化行为。结果表明，刻蚀10 s可获得线状结构，长度约3–10 nm，相邻纳米线间距典型值约11 nm；与平滑金刚...