Chemical characterization of DNA-immobilized InAs surfaces using X-ray photoelectron spectroscopy and near-edge X-ray absorption fine structure.

将单链DNA固定在III–V半导体表面可构成潜在的高灵敏度生物传感器，理解DNA与InAs表面结合时发生的化学与电子变化对阐明DNA固定机制至关重要。本研究采用高分辨X射线光电子能谱（XPS）和近边X射线吸收精细结构谱（NEXAFS）表征DNA固定后的InAs表面化学性质。功能化前，分别用HF和NH4OH水溶液蚀刻去除InAs原生氧...