Highly sensitive reduced graphene oxide microelectrode array sensor.

本文采用改进的纳米压印光刻（NIL）技术，将还原氧化石墨烯（rGO）制备成微电极阵列（MEA）。通过改进的NIL工艺，导电氧化铟锡（ITO）层与rGO层在无刻蚀rGO层的情况下实现自对准，形成由直径10 μm圆形微电极组成的阵列，并在60 μm节距下呈现典型微电极特征。该rGO MEA对多巴胺（DA）的灵敏度为1.91 nA μM−...