Facet-dependent electronic properties of hexagonal silicon nanowires under progressive hydroxylation and surface reconstruction.

本文采用密度泛函理论第一性原理计算，研究[110]取向六角形硅纳米线在表面重构和逐步羟基化条件下的电子性质。计算模型包含约1.7 nm直径的六角形硅纳米线，其表面具有(111)和(001)晶面，并比较氢钝化、(001)面(2×1)/(3×1)重构以及不同晶面上逐步引入羟基的影响。结果表明，羟基化会改变价带顶附近的态密度，并总体导致带...