Review of the AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor-Based Biosensors: Structure, Mechanisms, and Applications.

Micromachines 2024 Li C, Chen X, Wang Z

本文综述了基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的生物传感器的结构、工作机制与应用。AlGaN/GaN异质结界面因压电与自发极化形成高密度、高迁移率二维电子气（2DEG），且2DEG沟道靠近器件表面，可显著提高生物传感器灵敏度；GaN材料优异的热稳定性和化学稳定性使其能在高温及苛刻化学环境中工作。综述总结了肖特基栅、M...

综述或非传感器论文 AlGaN/GaN HEMT生物传感器场效应晶体管2DEG

High sensitivity saliva-based biosensor in detection of breast cancer biomarkers: HER2 and CA15-3.

Journal of vacuum science and technology. B, Nanotechnology & microelectronics : materials, processing, measurement, & phenomena : JVST B 2024 Wan HH, Zhu H, Chiang CC, Li JS 等 10 人

乳腺癌在女性中高发，亟需创新、高效的检测手段。本研究利用唾液生物标志物，提供一种非侵入且易获取的乳腺癌识别方法。作者采用类似血糖检测条的商用一次性试纸条，并通过功能化修饰使其能够检测乳腺癌标志物 HER2 和 CA15-3。结果显示，两种标志物的检出限均可低至 1 fg/ml，明显低于常规酶联免疫吸附试验（ELISA）约 1–4 n...

场效应晶体管(FET)生物传感器 唾液生物传感器乳腺癌标志物HER2CA15-3