Microwave annealing effect for highly reliable biosensor: dual-gate ion-sensitive field-effect transistor using amorphous InGaZnO thin-film transistor.

ACS applied materials & interfaces 2014 Lee IK, Lee KH, Lee S, Cho WJ

本研究采用微波退火工艺制备基于非晶InGaZnO（a-IGZO）薄膜晶体管（TFT）的高可靠性生物传感器，以解决a-IGZO TFT常见的阈值电压不稳定问题。与炉退火a-IGZO TFT相比，微波退火器件表现出更优的阈值电压稳定性和电学性能，包括9.51 cm2/V·s的场效应迁移率、0.99 V的阈值电压、135 mV/dec的亚...

场效应晶体管(FET)生物传感器 微波退火非晶InGaZnO双栅ISFET场效应晶体管生物传感器

Performance enhancement of capacitive-coupling dual-gate ion-sensitive field-effect transistor in ultra-thin-body.

Scientific reports 2014 Jang HJ, Cho WJ

近年来，基于薄膜晶体管的双栅离子敏感场效应晶体管（ISFET）被提出，旨在利用多种有机或无机材料突破标准 ISFET 固有的能斯特响应限制。双栅结构引入的电容耦合效应，可将原本固定的能斯特响应显著扩展为超灵敏传感区间，从而提升器件对界面电位微小变化的响应能力。为进一步推进该平台，本文将超薄体（UTB）结构嵌入双栅 ISFET 中。厚...

场效应晶体管(FET)生物传感器 双栅ISFET超薄体离子敏感场效应晶体管pH传感