5 条结果 关键词:嗜铬细胞 ×

Surface-modified CMOS IC electrochemical sensor array targeting single chromaffin cells for highly parallel amperometry measurements.

Pflugers Archiv : European journal of physiology 2018 Huang M, Delacruz JB, Ruelas JC, Rathore SS 等 5 人

安培法可记录嗜铬细胞的量子释放事件,并广泛用于评估药物对量子大小、释放动力学和早期融合孔特性的影响。表面修饰的CMOS基电化学生物传感器阵列能够同时记录多个细胞。本文提出一种可靠、低成本的单细胞靶向技术,将单个细胞精确定位到电极位点。芯片表面图案化SU-8微孔结构,既为电路提供绝缘,又在电极位点捕获细胞;移位电极设计提高了微孔尺寸与...

A new diamond biosensor with integrated graphitic microchannels for detecting quantal exocytic events from chromaffin cells.

Advanced materials (Deerfield Beach, Fla.) 2013 Picollo F, Gosso S, Vittone E, Pasquarelli A 等 7 人

神经内分泌细胞量子释放儿茶酚胺是突触传递和激素分泌的关键机制,传统碳纤维微电极虽可安培检测单细胞胞吐,但难以集成微型多电极阵列。本文利用 MeV 离子微束光刻技术,在单晶金刚石基体中制备埋入式石墨微通道,构建全碳微型化细胞生物传感器(µG-SCD)。通过变厚铜掩模和 1.8 MeV He+ 离子辐照,并在 1100 °C 退火,形成...

Parallel recording of neurotransmitters release from chromaffin cells using a 10×10 CMOS IC potentiostat array with on-chip working electrodes.

Biosensors & bioelectronics 2013 Kim BN, Herbst AD, Kim SJ, Minch BA 等 5 人

神经递质释放受多种药物和分子操作调节。本文报道一种基于主动 CMOS 集成电路的电化学生物传感器阵列,具有 100 个电极的高通量能力,用于片上安培法测量神经递质释放。该传感器结合 CMOS 集成电路工艺与光刻工艺,在芯片上集成铂工作电极,并采用集成高增益恒电位计和输出时分复用,实现最小死时间读出。片上工作电极通过铂保形沉积和光刻剥...

Neurosecretory cell-based biosensor: monitoring secretion of adrenal chromaffin cells by local extracellular acidification using light-addressable potentiometric sensor.

Biosensors & bioelectronics 2012 Liu Q, Hu N, Zhang F, Wang H 等 6 人

囊泡胞吐在多种生理过程中发挥重要作用,肾上腺嗜铬细胞致密核心囊泡释放是研究神经分泌细胞突触前过程的合适模型。本研究引入光寻址电位传感器(LAPS)作为无标记记录方法,通过局部胞外酸化监测囊泡释放。嗜铬细胞直接培养在传感器表面,建立细胞—LAPS杂化体系后记录囊泡胞吐事件。囊泡中储存的质子与神经递质共同释放,在细胞—传感器间隙引起短暂...

Monitoring extracellular K+ flux with a valinomycin-coated silicon nanowire field-effect transistor.

Biosensors & bioelectronics 2012 Chang KS, Sun CJ, Chiang PL, Chou AC 等 11 人

本研究将含缬氨霉素(VAL)的聚氯乙烯(PVC)膜涂覆于硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)表面,构建VAL-PVC/SiNW-FET生物传感器,用于检测活体嗜铬细胞释放的钾离子(K+)。该传感器对K+的检测灵敏度覆盖10^-6至10^-2 mol/L的宽浓度范围。在Tris缓冲液中,VAL与Li+、Na+、K+和Cs+的表观结...

场效应晶体管(FET)生物传感器 硅纳米线缬氨霉素钾离子细胞外K+外流