A combined etching process toward robust superhydrophobic SiC surfaces.

本文通过铂辅助蚀刻与反应离子蚀刻相结合的方法制备了大面积多孔碳化硅表面。与单独采用金属辅助蚀刻或反应离子蚀刻相比，复合蚀刻使表面粗糙度和孔隙结构显著增强，从而提高了空气截留体积。为降低表面能，多孔碳化硅表面经全氟辛基三氯硅烷功能化，形成接触角 169.2°、接触角滞后 2.4° 的超疏水碳化硅表面。该超疏水表面在 85 °C、85%...