6 条结果 关键词:碳化硅 ×

Silicon Carbide Technology for Advanced Human Healthcare Applications.

Micromachines 2022 Saddow SE

碳化硅(SiC)是一种高度坚固的半导体材料,有望革新用于人类医疗保健的植入式医疗器械,如生物传感器和神经植入物,从而实现先进的生物医学治疗应用。SiC 具有良好的生物相容性和血液相容性,目前已商业用于从心脏支架涂层、牙科植入物到涉及神经植入物和传感器的短期诊断应用等长期人体体内应用。当前医学界面临的一个挑战是缺乏本质上“智能”的生物...

Numerical Study of Graphene/Au/SiC Waveguide-Based Surface Plasmon Resonance Sensor.

Biosensors 2021 Du W, Miller L, Zhao F

本文提出并数值模拟了一种新型波导型表面等离子共振(SPR)传感器。该传感器由石墨烯覆盖层、金(Au)薄膜和碳化硅(SiC)波导层构成,并制备于二氧化硅/硅(SiO2/Si)基底上。由于 SiC 具有较大带隙,传感器可在可见光和近红外波段工作,从而降低水基传感介质中的光吸收并提高灵敏度。研究通过比较传感介质折射率(RI)变化引起的共振...

表面等离子共振(SPR)生物传感器 波导传感器石墨烯碳化硅折射率传感

Graphene on SiC Substrate as Biosensor: Theoretical Background, Preparation, and Characterization.

Materials (Basel, Switzerland) 2021 Lebedev AA, Davydov SY, Eliseyev IA, Roenkov AD 等 10 人

本文致力于石墨烯基传感器的开发与参数优化。研究采用约1700 ℃热分解半绝缘6H-SiC衬底的方法生长石墨烯膜,Auger和拉曼光谱证实SiC表面存在单层石墨烯。文中提出外延石墨烯吸附的模型方法,表明Green函数法结合简单基底模型可获得吸附分子与基底之间电荷转移的解析结果。传感结构通过激光在石墨烯膜上图形化形成。作者首先制备了较简...

Silicon carbide: a versatile material for biosensor applications.

Biomedical microdevices 2013 Oliveros A, Guiseppi-Elie A, Saddow SE

碳化硅(SiC)作为工业材料已有百余年历史,因其独特的电学与热学性质而获得广泛应用。近年来,SiC作为生物医学应用可行材料的关注度不断提高。本综述特别关注其作为生物传感器中生物换能器的应用潜力。在这些应用中,SiC可用作基底材料,利用其表面化学、摩擦学和电学特性;同时,其作为片上系统集成的潜力以及作为活性材料的应用,使其成为微器件制...

Protein immobilization on 3C-SiC (100) as a substrate for detecting the onset of acute myocardial infarction (AMI).

Annual International Conference of the IEEE Engineering in Medicine and Biology Society. IEEE Engineering in Medicine and Biology Society. Annual International Conference 2012 Oliveros A, Guiseppi-Elie A, Jaroszeski M, Saddow SE

碳化硅(SiC)已被证明具有生物相容性和血液相容性,可作为生物传感器基底材料。本文报道以 3C-SiC 为基底构建用于急性心肌梗死(AMI)早期标志物肌红蛋白(Myoglobin, Myo)检测的生物识别界面。首先通过溶剂清洗、piranha 溶液、HCl 和 HF 处理使 3C-SiC 表面羟基化;随后将样品浸入 1% 3-氨基丙...

电化学生物传感器 碳化硅肌红蛋白抗体固定APTES

A combined etching process toward robust superhydrophobic SiC surfaces.

Nanotechnology 2012 Liu Y, Lin W, Lin Z, Xiu Y 等 5 人

本文通过铂辅助蚀刻与反应离子蚀刻相结合的方法制备了大面积多孔碳化硅表面。与单独采用金属辅助蚀刻或反应离子蚀刻相比,复合蚀刻使表面粗糙度和孔隙结构显著增强,从而提高了空气截留体积。为降低表面能,多孔碳化硅表面经全氟辛基三氯硅烷功能化,形成接触角 169.2°、接触角滞后 2.4° 的超疏水碳化硅表面。该超疏水表面在 85 °C、85%...