Ge/In
本文提出一种漏极工程Ge/In0.53Ga0.47As异质结无掺杂隧穿场效应晶体管（DE-HJ-DLTFET）生物传感器，用于无标签生物分子检测。为降低制造成本并抑制随机掺杂涨落（RDF）效应，该器件采用无掺杂TFET结构；在源-沟道界面引入Ge/In0.53Ga0.47As异质结以降低隧穿势垒，从而提高漏极电流（IDS）和亚阈值摆...
Design of a novel high-sensitive SOI-Junctionless BioFET overcoming sensitivity degradation problems.
本文首次提出一种无标记无结半导体器件新构型，用于提高生物分子识别灵敏度。与传统在栅氧化层中制作纳米空腔不同，该设计将纳米空腔置于沟道区，适用于具有高工作电流的SOI无结生物器件。为更好调控导电机制，在埋氧层内沟道下方制作孔沟槽，通过调制能带提升传感性能。与需要较厚栅氧化层以捕获生物分子的传统生物传感器相比，该器件可在极薄栅氧化层下工...
Improved Dielectrically Modulated Quad Gate Schottky Barrier MOSFET Biosensor.
本文提出一种具有四栅结构和源端工程的新型肖特基势垒MOSFET（SB-MOSFET）。器件在沟道源侧采用高k介质HfO2，漏侧采用SiO2，并在源侧引入SiGe口袋区域以提高载流子迁移率。与常规双栅SB-MOSFET相比，该器件具有更高的开/关电流比和更低的亚阈值摆幅。源侧HfO2与SiGe区域增强隧穿概率，而漏侧Al/SiO2结构...
A detailed investigation of dielectric-modulated dual-gate TMD FET based label-free biosensor via analytical modelling.
本文建立了包含边缘场效应的介电调制双栅二维过渡金属硫族化合物场效应晶体管（DM-DG-TMD-FET）无标记生物传感器解析模型。模型针对两种器件结构：结构1为纳米空腔上方无栅极，结构2为纳米空腔上方有栅极，其传感依据是纳米空腔内生物分子介电常数的调制。所提模型借助少量拟合参数与量子数值仿真结果验证，并与二维数值仿真器 SILVACO...